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 This way UP ^^

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lgda



Nombre de messages : 4609
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MessageSujet: This way UP ^^   Jeu 5 Mai 2011 - 13:33

Intel annonce avoir développé une nouvelle génération de processeurs dont les éléments sont tout aussi fins que les actuels mais dont l'épaisseur est plus importante. Intel annonce des gains de vitesse de l'ordre de 37% et de consommation de -50%.

Buck, peux tu nous en dire plus ?

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buck



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MessageSujet: Re: This way UP ^^   Jeu 5 Mai 2011 - 13:45

Pour l'instant non, car je n'ai pas encore vu comment ils ont arrange leur transistor
Dc le temps de trouver ca et j'essaierais de faire un topo
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blondie

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Date d'inscription : 23/05/2007

MessageSujet: Re: This way UP ^^   Jeu 5 Mai 2011 - 16:15

Bonjour

Ce doit-être le Tri-Gate
Une superposition au lieu d'une extension du processeur...
Blondie flower
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buck



Nombre de messages : 2595
Date d'inscription : 07/02/2007

MessageSujet: Re: This way UP ^^   Jeu 5 Mai 2011 - 17:39

oui c'est le tri gate de Intel
doc intel http://www.intel.com/technology/silicon/integrated_cmos.htm
et pour discussion http://www.ask.com/wiki/Multigate_device
En fait ce que je cherchais c'est la diff avec les finfet

Dans les 2 cas le transistor est en 3D , mais ce n'est pas de la superposition de transistor
Pour continuer a diminuer la longueur du chanel (ils en sont au 32 nm maintenant) les structures 2D ne sont plus trop valable (pb de courant de fuite, variabilite enorme sur la longueur du chanel ...)
Les zones drain et source peuvent etre considere comme des parallélépipèdes rectangle. On a du silicium avec un dopage que l'on suppose constant dans ce parallélépipède
Entre ces 2 zones on a un dopage inverse a celui de ces zones (dopage P si N ou N si P) en gros exces ou defaut d'electons (si on met un atome d ebore : 3 liaisons covalentes dans une structure de silicium qui en a 4 il y a une liaison en rab donc un electron qui peux se balader, si on met de l'arsenic qui a 5 liaison on a un manque d#electron)
L'idee c'est de mettre sur la tranche les parallélépipèdes et d'entourer la tranche par la grille. Cela permet de recuperer de la longueur de channel, on a un meilleur controle du courant qui passe du drain a la source, moins de fuite, un oxide qui peut etre meilleur que le SiO2 ...

La diff avec le finfet c'est que le finfet se base sur du SOI c#est a dire une couche d'isolant tres proche de la surface (ordre de grandeur micron) ce qui fait que les parallélépipèdes reposent dessus et on moins de perte, on leur donne un chemin d'acces vers la grille qui est aussi deposee en 3D. Pour le trigate on reste sur du silicium (meme si contraint) on tourne les zone source et drain on reste proche et on met la grille en 3D au milieu

Dommage que Intel n'aime pas le SOI
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Steph



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Date d'inscription : 09/03/2007

MessageSujet: Re: This way UP ^^   Jeu 5 Mai 2011 - 18:53

Et la différence de cout de fabrication avec le SOI?
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buck



Nombre de messages : 2595
Date d'inscription : 07/02/2007

MessageSujet: Re: This way UP ^^   Lun 9 Mai 2011 - 14:41

strictement aucune idee
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MessageSujet: Re: This way UP ^^   

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This way UP ^^
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